发明名称 |
薄膜形成器件,形成薄膜的方法和自发光器件 |
摘要 |
本发明提供了一种通过蒸发借助于在所需位置选择地淀积用于形成EL层的材料从而形成EL层的方法。当用于形成EL层的材料被淀积时,在船形试样器皿(111)和衬底(110)之间提供一个掩模。通过对所述掩模(113)施加一个电压,用于形成EL层的EL材料的行进方向被控制,从而选择地使所述EL材料淀积在所需位置。 |
申请公布号 |
CN1767226B |
申请公布日期 |
2012.08.15 |
申请号 |
CN200510098190.6 |
申请日期 |
2001.03.06 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;广木正明;石丸典子 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
杨生平;陈景峻 |
主权项 |
自发光器件,其包含:在中间层绝缘膜上和像素电极间由无机膜形成的第一岸,所述像素电极设置在所述中间层绝缘膜上且与所述中间层绝缘膜接触;在该第一岸上由有机树脂膜形成的第二岸;以及在所述像素电极的每个上且与所述第一岸接触的由发光有机材料形成的层,其中由发光有机材料形成的所述层与所述第一岸的侧面接触并且不与所述第二岸接触,其中所述第二岸与所述像素电极相互不接触,其中所述第一岸和所述第二岸中的每个都具有条状的形状,及其中所述第一岸的宽度小于所述第二岸的宽度。 |
地址 |
日本神奈川县 |