薄膜伪参比电极及其制备方法

摘要

本发明涉及薄膜伪参比电极及其制备方法，其中参比电极(1)包括由氧化的硅晶片制成的基底(2)，所述基底上有单层的银薄膜(3)，薄膜的厚度在100-1500nm之间，是采用溅射技术直接沉积的。

主权项

一种薄膜伪参比电极，其可结合在电化学生物传感器中，所述的电化学生物传感器包括工作电极、辅助电极或对电极、以及参比电极，其特征在于，所述伪参比电极(1)包括由氧化的硅晶片形成的基材(2)，并且在所述基材(2)的硅晶片上直接沉积有厚度为100nm‑1500nm的单层的银薄膜(3)。