| 发明名称 | 穿硅通孔结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种穿硅通孔结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的上表面和下表面；对所述半导体衬底的上表面进行刻蚀，形成开口；在所述开口中沉积填充可刻蚀的导电材料，形成连接钉；对所述半导体衬底的下表面进行减薄，至暴露出所述连接钉。本发明有利于提高穿硅通孔结构的可靠性，而且可以适用于多种半导体生产线。 | ||
| 申请公布号 | CN102637656A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201110036024.9 | 申请日期 | 2011.02.11 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵超;陈大鹏;欧文 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种穿硅通孔结构，其特征在于，包括：半导体衬底；贯穿所述半导体衬底的通孔；填充所述通孔的连接钉，所述连接钉的材料为可刻蚀的导电材料。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||