| 摘要 |
一种半导体装置包括：一半导体基板；形成于该半导体基板中且在一第一方向上延伸的一主动区，该主动区包括一电晶体子区域及一电容器子区域；围绕该电晶体子区域延伸的一第一沟槽；配置于该第一沟槽中的一隔离层；围绕该电容器子区域延伸的一第二沟槽；包括配置于该电晶体子区域上的一第一绝缘层之一第一电晶体，该第一电晶体包括配置于该第一绝缘层上的一第一导电层；及包括在该电容器子区域及该第二沟槽的一侧壁上方延伸的一第二绝缘层之一第一电容器，该第一电容器包括配置于该第二绝缘层上的一第二导电层，该主动区在与该电晶体子区域相反的该第一方向上具有一末端部分，且横跨该第一电容器延伸。 |
