| 摘要 |
本发明揭示一种制造一半导体部件之方法，其包括：提供一半导体基板(210、510)；在该半导体基板中形成一沟渠(130、430)以定义藉由该沟渠而彼此分离之复数个作用区域；在该半导体基板中于该沟渠之一部分下形成一埋入层(240、750)，其中该埋入层至少系部分邻接该沟渠；在形成该埋入层后，将一电绝缘材料(133、810)沈积于该沟渠内；在该等复数个作用区域中的一区域内形成一集极区域(150、950)，其中该集极区域形成对该埋入层之一接触；在该等复数个作用区域中的一区域上形成一基极结构；以及在该等复数个作用区域中的一区域上形成一射极区域。 |
