利用牺牲间距物制造拉伸型通道场效电晶体之结构及方法

摘要

本发明提供一种场效电晶体(FET)，其包含位于一基材之单晶半导体区域上方之闸极堆叠、一对配置在该闸极堆叠侧壁上之第一间距物、以及一对配置在该闸极堆叠相反侧之基本上由一单晶半导体合金组成之区域。每一个半导体合金区域皆与该闸极堆叠间隔一第一距离。该FET之源极区域和汲极区域至少部分配置在各自之半导体合金区域中，以使该源极区域和该汲极区域之每一个皆经由该对第一间距物之一第一间距物与该闸极堆叠间隔一第二距离，该第二距离与该第一距离不同。