保护膜及其制造方法

摘要

于基板上方或基板上所形成之薄膜层积体上方所形成之Si/O/N之原子数比为100/X/Y(130≦X+Y≦180、10≦X≦135、5≦Y≦150)之氮化氧化矽所构成之保护膜的制造方法，使用氮化矽做为标的材料，且于溅镀气体使用惰性气体，于反应性添加气体使用N2并且经由溅镀法形成保护膜的制造方法。所得之氮化氧化矽所构成之保护膜的氧成分为在基板或薄膜层积体中，或者于反应装置内存在之水分分解下，被并入保护膜之组成中。