| 摘要 |
1. Магниторезистивное оперативное запоминающее устройство с переносом спинового момента (STT-MRAM), содержащее: ! массив ячеек бита, линия истока которого расположена, по существу, параллельно словарной шине, соединенной с первым рядом ячеек битов, в котором линия истока расположена, по существу, перпендикулярно линиям битов, соединенным с первым рядом ячеек битов. ! 2. STT-MRAM по п.1, дополнительно содержащее: ! словарную шину, соединенную со вторым рядом ячеек битов, в котором линия истока соединена со вторым рядом ячеек битов. ! 3. STT-MRAM по п.1, в котором линия истока расположена между словарной шиной первого ряда ячеек битов и словарной шиной второго ряда ячеек битов. ! 4. STT-MRAM по п.1, дополнительно содержащее: ! логическую схему, выполненную с возможностью установления низкого напряжения в линии битов выбранных ячеек битов в первом ряду ячеек битов, соединенной со словарной шиной и линией истока, и выполненную с возможностью установления высокого напряжения в линиях битов для невыбранных ячеек битов в первом ряду ячеек битов, соединенных со словарной шиной и линией истока. ! 5. STT-MRAM по п.4, в котором высокое напряжение представляет собой уровень истока питания, и низкое напряжение представляет собой уровень земли. ! 6. STT-MRAM по п.4, в котором логическая схема, выполненная с возможностью установления низкого напряжения в линии битов выбранной ячейки, содержит: ! логическую схему выбора линии бита, соединенную с множеством задающих модулей линии бита. ! 7. STT-MRAM по п.6, в котором логическая схема выбора линии битов выполнена с возможностью приема множества сигналов адреса столбца и высокого сигнала данных. ! 8. STT-MRAM по п.7, в котором |
