| 发明名称 |
Zusammendrückende polykristalline Siliziumschicht und Herstellungsverfahren dafür |
| 摘要 |
<p>In einer Ausführungsform ist ein Verfahren zum Ausbilden einer zusammendrückenden polykristallinen halbleitenden Materialschicht (310) offenbart. Das Verfahren weist das Ausbilden einer polykristallinen halbleitenden Keimschicht (320) über einem Substrat (300) und Ausbilden einer Siliziumschicht (330) durch Abscheiden von Silizium direkt auf der polykristallinen Siliziumkeimschicht (320) unter amorphen Prozessbedingungen bei einer Temperatur unter 600°C auf.</p> |
| 申请公布号 |
DE102012100869(A1) |
申请公布日期 |
2012.08.09 |
| 申请号 |
DE201210100869 |
申请日期 |
2012.02.02 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
LEHNERT, WOLFGANG;MEYER, MARKUS;POMPL, STEFAN |
| 分类号 |
H01L21/822;H01L21/762;H01L21/763;H01L21/8234;H01L27/105;H01L29/92 |
主分类号 |
H01L21/822 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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