| 发明名称 | 晶体管及半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种积累型晶体管，沟道区半导体层的杂质浓度高于2×1017cm-3，从而能够承受更大的栅极电压摆幅。 | ||
| 申请公布号 | CN101490849B | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN200780026588.6 | 申请日期 | 2007.07.12 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸;黑田理人 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种积累型晶体管，其特征在于，包括沟道区和在所述沟道区两端形成的源极区和漏极区，所述沟道区的杂质浓度高于2×1017cm‑3且低于5×1019cm‑3，且以n型半导体构成所述沟道区的同时将电子作为载流子，或者以p型半导体构成所述沟道区的同时将空穴作为载流子，并且，当加载的栅极电压达到阈值时，作用于栅极绝缘膜的电场为0MV/cm或者低于它，在开启时和关闭时，作用于栅极绝缘膜以及所述沟道区的有效电场的方向各自为相反方向。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||