发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
在一个实施方式中,在通过在第一面粘贴的表面保护膜维持晶片形状的半导体晶片涂覆液状粘接剂,形成粘接剂层。在半导体晶片的第二面粘贴具有粘接层的支持片。在剥离表面保护膜之后,拉伸支持片,分断包括在切割槽内填充的粘接剂的粘接剂层。维持支持片的拉伸状态并洗涤。在洗涤前,选择地降低粘接层的与切割槽相对应的部分的粘接力。 |
申请公布号 |
CN102629594A |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN201110273231.6 |
申请日期 |
2011.09.15 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
芳村淳;岩见文宏 |
分类号 |
H01L21/78(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
陈海红;杨光军 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,包括:准备半导体晶片的工序,该半导体晶片具有按照切割槽被单片化后的多个芯片区域,通过在第1面粘贴的表面保护膜维持晶片形状;将液状粘接剂在上述切割槽的至少一部分填充,并在上述半导体晶片的与上述第1面相反侧的第2面涂覆而形成粘接剂层的工序;在上述半导体晶片的上述第2面经由上述粘接剂层粘贴具有能够降低粘接力的粘接层的支持片的工序;从上述半导体晶片剥离上述表面保护膜的工序;拉伸在上述半导体晶片粘贴的上述支持片,包含在上述切割槽内填充的粘接剂而分断上述粘接剂层的工序;和维持拉伸上述支持片的状态,并洗涤上述半导体晶片的上述第1面和上述切割槽内的工序,在洗涤上述半导体晶片之前,选择地降低上述粘接层的与上述切割槽相对应的部分的粘接力。 |
地址 |
日本东京都 |