| 发明名称 | 存储介质，再现方法和记录方法 | ||
| 摘要 | 公开了存储介质，再现方法和记录方法。BCA包括两个BCA前导部分，两个BCA后同步指令部分，和两个BCA数据区。BCA检错码和BCA纠错码添加到每个BCA数据区。相同的信息项多次记录在两个BCA数据区。即使由于存储介质表面上形成的划痕或灰尘而导致一项数据不能再现，也可以从其它BCA数据区再现数据，提高的数据的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102629477A | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN201210123514.7 | 申请日期 | 2006.02.22 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 安东秀夫;柏原裕;小川昭人;丸山纯孝;长井裕士 |
| 分类号 | G11B7/007(2006.01)I;G11B7/005(2006.01)I;G11B7/246(2006.01)I;G11B7/249(2006.01)I;G11B20/10(2006.01)I;G11B20/12(2006.01)I;G11B27/24(2006.01)I;G11B27/32(2006.01)I | 主分类号 | G11B7/007(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 高青 |
| 主权项 | 一种配置成用于信息存储介质的材料，包括：光反射层；形成于所述光反射层上的记录层，所述记录层包含未记录部分，所述记录层包括所述材料；以及形成于所述记录层上或上方的透明层，其中，光通过所述透明层入射到所述记录层并被所述光反射层反射，其中，信息能够通过波长405nm的光记录在所述记录层上，其中，被所述光反射层反射并透射通过所述记录层的记录部分的光的强度高于被所述光反射层反射并透射通过所述未记录部分的光的强度，以及其中，所述材料包括以下特性：所述未记录部分中355nm波长处的吸光率不小于所述未记录部分中比405nm长的波长范围内的峰值吸收波长处的吸光率的40％，以及所述峰值吸收波长是所述未记录部分中在比405nm长的波长范围内吸光率最大的波长。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||