发明名称 |
半导体器件以及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件以及其制作方法本发明的目的是提供一种低成本,小体积,并且高集成化的半导体器件。本发明利用转移技术,将用半导体薄膜形成的半导体元件转移到用半导体衬底形成的半导体元件之上,从而制作半导体器件。跟常规的MCP相比,本发明可以用更低成本,并更高产量地大量生产半导体器件,而且可以减少每个半导体器件的生产成本。 |
申请公布号 |
CN101577271B |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN200910147514.9 |
申请日期 |
2003.12.26 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
桑原秀明;高山彻;后藤裕吾;丸山纯矢;大野由美子;山崎舜平 |
分类号 |
H01L25/00(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张雪梅;蒋骏 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:包括第一布线部分、多个接触孔以及外部终端的绝缘性衬底,其中所述第一布线部分和所述外部终端连接在所述绝缘性衬底的多个接触孔中;包括半导体衬底的第一半导体元件,其中所述第一半导体元件形成在所述绝缘性衬底上,并且二者中间夹有树脂,以及所述第一半导体元件经由第一电极垫电连接到所述第一布线部分,在所述第一电极垫和所述第一布线部分之间设置凸块;形成在所述第一半导体元件上的第二布线部分,二者中间夹有绝缘层;和包括多个薄膜晶体管和第二电极垫的第二半导体元件,其中所述第二半导体元件形成在所述绝缘层上,以及其中所述第二电极垫经由各向异性导电聚合物电连接到所述第二布线部分,所述各向异性导电聚合物夹在所述第二电极垫与所述第二布线部分之间。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |