场效应晶体管制造方法

摘要

一种场效应晶体管制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成掩膜层，刻蚀所述掩膜层，暴露出部分所述第一介质层；进行重型离子注入，改变暴露出来的所述第一介质层的刻蚀速率；去除所述掩膜层，并基于所述第一介质层中不同的刻蚀速率，以湿法刻蚀在所述第一介质层中形成台阶；基于所获得的第一介质层台阶，形成非对称的栅介质层；在所述非对称栅介质层表面形成栅极，并在所述栅极一侧、靠近具有较大厚度的所述栅介质层的衬底内形成漏极，以及在所述栅极另一侧形成源极。本发明在形成非对称的栅介质层结构时，能使器件具有良好的可靠性和生产良率。

主权项

一种场效应晶体管制造方法，包括：提供半导体衬底，并在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成掩膜层，刻蚀所述掩膜层，暴露出部分所述第一介质层；进行重型离子注入，改变暴露出来的所述第一介质层的刻蚀速率；去除所述掩膜层，并基于所述第一介质层中不同的湿法刻蚀速率，以湿法刻蚀在所述第一介质层中形成台阶；基于所获得的第一介质层台阶，形成非对称的栅介质层；在所述非对称栅介质层表面形成栅极，并在所述栅极一侧、靠近具有较大厚度的所述栅介质层的衬底内形成漏极，以及在所述栅极另一侧的衬底内形成源极；其中，所述改变暴露出来的所述第一介质层的刻蚀速率，是指：使被所述掩膜层所遮挡的第一介质层部分中的湿法刻蚀速率小于暴露出来的第一介质层部分中的湿法刻蚀速率。