一种复合材料防伪元件及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种复合材料防伪元件及该防伪元件的制备方法和应用，该防伪元件至少包含由LiNbO3基层和沉积于该LiNbO3基层上至少部分区域的Co基非晶磁性薄膜层所形成的复合层，并且，所述Co基非晶磁性薄膜层的厚度为50-300nm。本发明提供的新型复合防伪元件，将非晶软磁材料沉积在铌酸锂基层上，在不改变合金成分的情况下，磁矩(饱和磁化强度)会异常增加，该磁特征不可能仅通过测定合金成分而实现仿冒，提高了仿冒难度，同时改善了目前非晶材料磁特征信号弱，不利于检测的缺陷，更利于非晶材料在防伪领域的应用。

主权项

一种复合材料防伪元件，该防伪元件至少包含由LiNbO3基层和沉积于该LiNbO3基层上至少部分区域的Co基非晶磁性薄膜层所形成的复合层，并且，所述Co基非晶磁性薄膜层的厚度为50‑300nm。