一种TFT阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法，涉及液晶面板制造领域，解决了现有技术中制造工艺复杂的问题。制造方法包括：在基板上沉积第一透明导电层，通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；在所述栅线和栅极上分别沉积栅绝缘层、透明半导体有源层和第二透明导电层；通过第二次构图工艺处理得到由所述第二导电层构成的数据线、源极、漏极和像素电极，并形成TFT沟道；在所述数据线、源极、漏极和像素电极上沉积钝化层，通过第三次构图工艺处理去掉TFT、数据线、栅线与像素电极之间的透明半导体有源层，并形成由所述钝化层构成的保护膜图形。本发明实施例用于制造TFT阵列基板。

主权项

一种TFT阵列基板制造方法，其特征在于，包括：在基板上沉积第一透明导电层，通过第一次构图工艺处理得到栅线和栅极；在所述栅线和栅极上分别沉积栅绝缘层、透明半导体有源层和包括透明导电层的第二导电层；通过第二次构图工艺处理得到由所述第二导电层构成的数据线、源极、漏极和像素电极，并形成TFT沟道；在所述数据线、源极、漏极和像素电极上沉积钝化层，通过第三次构图工艺处理去掉TFT、数据线、栅线与像素电极之间的透明半导体有源层，并形成由所述钝化层构成的保护膜图形。