Plasma-CVD-Vorrichtung, Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschicht, Verfahren zum Herstellen einer Dünnschichtsolarzelle und Verfahren zum Reinigen einer Plasma-CVD-Vorrichtung

摘要

Eine Plasma-CVD-Vorrichtung umfasst: eine Schichtausbildungskammer 4; ein Halteteil, das ein zu bearbeitendes Substrat haltert, das in der Schichtausbildungskammer 4 angeordnet ist; einen Strahlkopf 5, der dem Halteteil zugewandt in der Schichtausbildungskammer 4 angeordnet ist, Rohstoffgas zuführt und ein Plasma aus dem Rohstoffgas erzeugt; eine Radikalerzeugungskammer 8, die an einer entgegengesetzten Seite des Strahlkopfs 5 in Bezug auf das Halteteil angeordnet ist und Radikale aus Prozessgas erzeugt; und ein Verschlusselement 9, das geöffnet und geschlossen werden kann und zwischen dem Strahlkopf 5 und der Radikalerzeugungskammer 8 vorgesehen ist.