发明名称 参数调整方法、半导体装置制造方法及记录媒体
摘要 本发明揭示一种用于复数个制造装置以使用该等制造装置在一基板上形成一半导体装置之一图案的参数调整方法,其包括:将可针对用作参考制造装置之一制造装置来调整之一参数调整成在一预定的可容许变化之一范围内,并将该经调整的参数定义为该参考制造装置之一参考参数;当将该参考参数设定于该参考制造装置时,从一遮罩获得欲使用该参考制造装置在一基板上形成之一半导体装置之一图案的一第一形状,并将所获得之第一形状定义为一参考完成形状;将另一欲调整的制造装置之一可调整参数定义为该欲调整的制造装置之一欲调整参数;当将该所定义的欲调整参数设定于该欲调整的制造装置时,从该遮罩获得使用该欲调整的制造装置在该基在板上形成之图案的一第二形状,并将所获得之第二形状定义为一欲调整的完成形状;计算该参考完成形状与该欲调整的完成形状之间的一差额;藉由改变该欲调整参数直至该差额变成等于或小于一预定参考值来重复计算该差额;输出具有等于或小于该预定参考值的差额之欲调整参数或具有透过该重复计算而变成等于或小于该预定参考值的差额之欲调整参数作为该欲调整的制造装置之一参数。
申请公布号 TWI369719 申请公布日期 2012.08.01
申请号 TW097111719 申请日期 2008.03.31
申请人 东芝股份有限公司 日本 发明人 小谷敏也;甲斐康伸;井上壮一;田中聪;野岛茂树;益川和之;桥本耕治
分类号 H01L21/027;G03F7/20;H01L21/02 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本