发明名称 |
一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器及制备方法。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本发明存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成,氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间,重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极,金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本发明方法是采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底;然后采用磁控溅射法在重掺硅衬底上沉积氧化铋薄膜;最后在氧化铋薄膜上采用电子束蒸发法制备金属薄膜电极。本发明可简化存储器的制作工艺,并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。 |
申请公布号 |
CN102623636A |
申请公布日期 |
2012.08.01 |
申请号 |
CN201210096994.2 |
申请日期 |
2012.04.05 |
申请人 |
杭州电子科技大学 |
发明人 |
李红霞;季振国;席俊华 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
杜军 |
主权项 |
一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器,其特征在于:该存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成,氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间,重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极,金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |