半导体纳米线少数载流子寿命的检测方法

摘要

本发明公开了一种半导体纳米线中少数载流子寿命的检测方法，该方法首先利用导电扫描探针测量单根纳米线肖特基反偏下的光激发电流响应，然后利用数值模型对光电流-偏压曲线进行定量拟合，确定半导体纳米线中的少数载流子寿命。本方法适用于外延和刻蚀等方法制备的纳米线样品中单纳米线载流子动力学特性的测定，并且本方法使用了较低的光激发强度，更接近纳米线在光电器件中的工作状态，因而对于分析、评估纳米线及其光电器件的核心性能有重要价值。

主权项

一种半导体纳米线的少数载流子寿命检测方法，其特征在于包括以下步骤：1)对待测纳米线或纳米线阵列进行绝缘支撑；2)通过抛光减薄样品正面的支撑介质，使纳米线顶端裸露出来；3)试样基片形成欧姆接触，用来作为公共下电极；4)测量肖特基接触下单根纳米线的光电流‑偏压曲线；5)建立纳米线光电流测量体系的数值模型；6)对单根纳米线肖特基反偏下的光生电流‑偏压曲线进行拟合，得出少数载流子寿命；7)重复步骤4)‑6)，测量其它纳米线的光电流并拟合得出少数载流子寿命。