| 发明名称 | 等离子体蚀刻用硅电极板 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种等离子体蚀刻用硅电极板，其可抑制因等离子体蚀刻产生的表面凹凸且实现均匀的蚀刻。本发明的等离子体蚀刻用硅电极板由将B和Al作为掺杂剂添加的单晶硅构成，Al的浓度在1×1013atoms/cm3以上。该等离子体蚀刻用硅电极板中，单晶硅的电特性在面内均匀化，在等离子体蚀刻中表面消耗时能够使凹凸变得极少，并且能够抑制裂纹。 | ||
| 申请公布号 | CN102623285A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201110415354.9 | 申请日期 | 2011.12.13 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 米久孝志;高畠康太 |
| 分类号 | H01J37/04(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 陈万青;王珍仙 |
| 主权项 | 一种等离子体蚀刻用硅电极板，其特征在于，由将B和Al作为掺杂剂添加的单晶硅构成，Al的浓度在1×1013atoms/cm3以上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||