一种直接转移石墨烯薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种直接转移石墨烯薄膜的方法。目前从金属表面转移石墨烯薄膜十分不方便。本发明首先利用化学气相沉积法在铜箔上生长出石墨烯薄膜，然后利用氧等离子清洗器将铜箔一侧的石墨烯清除干净以得到单层石墨烯薄膜与铜箔的结合体，再将转移载体平贴在石墨烯薄膜表面并滴加适量有机溶剂以增加其间相互作用，接着利用腐蚀溶液将铜箔清除以得到单层石墨烯薄膜与转移载体的结合体，其次利用去离子水多次清洗石墨烯薄膜，最后利用滤纸清除石墨烯表层的去离子水。本发明方法避免了有机胶体等转移介质对石墨烯薄膜的破坏，可以得到100微米及以上尺寸的单层石墨烯薄膜，所需设备简单，产品尺寸可控，生产安全性高，容易实现工业化应用。

主权项

一种直接转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于该方法包括以下步骤： 步骤1.利用化学气相沉积装置在25微米厚的铜箔片两侧上生长出石墨烯薄膜；步骤2.利用氧等离子清洗器清除掉铜箔一侧的石墨烯薄膜；步骤3.将转移载体平贴在石墨烯薄膜表面，并在转移载体边缘滴加有机溶剂；步骤4.等有机溶剂自然挥发后，将转移载体、石墨烯薄膜和铜箔的结合体浸入腐蚀性溶液，浸入时保证铜箔层水平贴住腐蚀溶液表面；步骤5.待铜箔层被腐蚀溶液完全腐蚀后，将转移载体和石墨烯薄膜的结合体浸入去离子水中清洗残留的腐蚀溶液；整个清洗过程需要进行4～6次循环操作；步骤6.将石墨烯薄膜和转移载体的结合体转移到中速或者慢速定性滤纸上，过程中保证石墨烯薄膜朝上而转移载体朝下；步骤7.真空干燥石墨烯薄膜和转移载体的结合体，完成石墨烯薄膜转移过程。