| 发明名称 | 一种基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，包括以下步骤：选用初始硅片；将氮化物粉末烧结压制成氮化物陶瓷垫底；在初始硅片或氮化物陶瓷垫底上生成键合过渡层；通过键合过渡层将初始硅片与氮化物陶瓷垫底进行键合，得到基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料；对基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料进行剥离处理，得到基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅片。本发明方法制备工艺简单，设备通用性强，制造成本低廉，所得产品既具有目前绝缘体上硅材料的优点，又克服了现有材料散热差的缺点。 | ||
| 申请公布号 | CN102623387A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201210122701.3 | 申请日期 | 2012.04.25 |
| 申请人 | 上海新储集成电路有限公司 | 发明人 | 亢勇;陈邦明;张峰;曹共柏 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人 | 董红曼 |
| 主权项 | 一种基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：选用初始硅片（1）；步骤二：将氮化物粉末烧结压制成氮化物陶瓷垫底（3）； 步骤三：在所述初始硅片（1）或氮化物陶瓷垫底（3）上生成键合过渡层（2）；步骤四：通过所述键合过渡层（2）将所述初始硅片（1）与氮化物陶瓷垫底（3）进行键合，得到所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料（4）；步骤五：对所述基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料（4）进行剥离处理，得到基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅片（5）。 | ||
| 地址 | 201506 上海市金山区亭卫公路6505号2栋8号 | ||