| 发明名称 | 氮化物系半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件，其具备n型氮化物系半导体层和在n型氮化物系半导体层的表面上所形成的n侧电极，其中，该n侧电极包括：具有由Si构成的第一金属层和由Al构成的第二金属层的欧姆电极层；具有在欧姆电极层的与n型氮化物系半导体层的相反侧所形成的且由Au构成的第三金属层的衰减电极层；和在欧姆电极层和衰减电极层之间所形成的势垒层。 | ||
| 申请公布号 | CN102623893A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201110421217.6 | 申请日期 | 2011.12.15 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;三洋光学设计株式会社 | 发明人 | 口野启史;井下京治;井上升 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 雒运朴 |
| 主权项 | 一种氮化物系半导体发光元件，其具备n型氮化物系半导体层和在所述n型氮化物系半导体层的表面上所形成的n侧电极，其中，该n侧电极包括：具有由Si构成的第一金属层和由Al构成的第二金属层的欧姆电极层；在所述欧姆电极层的与所述n型氮化物系半导体层的相反侧所形成的且具有由Au构成的第三金属层的衰减电极层；在所述欧姆电极层和所述衰减电极层之间所形成的势垒层。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||