| 发明名称 | 通过使用离子注入引入压缩金属栅极应力而在三栅极MOSFET中实现驱动电流增强 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括鳍和金属栅极膜。鳍形成在半导体材料的表面上。金属栅极膜形成在鳍上并且包括在该金属栅极膜中注入的离子以形成该金属栅极内的压缩应力。在一个示例性实施例中，半导体材料的表面包括（100）晶格取向，并且鳍的取向沿相对于半导体的晶格的<100>方向。在另一个示例性实施例中，半导体材料的表面包括（100）晶格取向，并且鳍的取向沿相对于半导体的晶格的<110>方向。鳍包括由金属栅极膜内的压缩应力生成的非平面压缩。 | ||
| 申请公布号 | CN102612737A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN201080051659.X | 申请日期 | 2010.11.18 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R·米恩德鲁;C·E·韦伯;A·阿苏托什;J·黄 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体材料的表面上形成所述半导体器件的鳍；在所述鳍上形成所述半导体器件的金属栅极膜；以及在所述金属栅极膜中注入离子。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||