| 发明名称 | 刻蚀沟槽的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀沟槽的方法，所述刻蚀在刻蚀反应腔内进行，对层间介质层进行刻蚀形成沟槽，该方法分为两步执行，包括：第一步刻蚀控制刻蚀反应腔内的压力为一预定值，向刻蚀反应腔内提供偏置功率，向刻蚀反应腔内通入包括氧气和四氟化碳CF4的气体；在刻蚀到沟槽深度的1/3～2/3时，执行第二步刻蚀，保持与第一步刻蚀时刻蚀反应腔内的压力相同，向刻蚀反应腔内提供偏置功率、源功率和磁场，向刻蚀反应腔内通入包括氢气、氧气和CF4的气体。采用该方法有效解决了刻蚀的沟槽出现侧壁边粗糙(LER)的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102041508B | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN200910197667.4 | 申请日期 | 2009.10.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | C23F1/12(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种刻蚀沟槽的方法，所述刻蚀在刻蚀反应腔内进行，对层间介质层进行刻蚀形成沟槽，该方法分为两步执行，包括：第一步刻蚀控制刻蚀反应腔内的压力为20～50毫托，向刻蚀反应腔内提供偏置功率，向刻蚀反应腔内通入包括氧气和四氟化碳CF4的气体；在刻蚀到沟槽深度的1/3～2/3时，执行第二步刻蚀，保持与第一步刻蚀时刻蚀反应腔内的压力相同，向刻蚀反应腔内提供偏置功率、源功率和磁场，向刻蚀反应腔内通入包括氢气、氧气和CF4的气体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||