发明名称 |
大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法和用途 |
摘要 |
本发明涉及一种大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体的分子式为Ba2B5O9Cl,采用高温溶液法,以助熔剂生长晶体,该晶体紫外截至边在230nm以下,非线性光学效应约为KDP(KH2PO4)的6倍;该晶体具有倍频效应大,机械强度大,易加工,不潮解等特点,同时制备速度快,操作简单,成本低,所制晶体尺寸大等优点,适用于制作非线性的光学器件。在倍频转换,光参量振荡器等非线性等光学器件中可以得到广泛的应用。 |
申请公布号 |
CN101984149B |
申请公布日期 |
2012.07.25 |
申请号 |
CN201010553377.1 |
申请日期 |
2010.11.22 |
申请人 |
中国科学院新疆理化技术研究所 |
发明人 |
潘世烈;陈兆慧 |
分类号 |
C30B29/10(2006.01)I;C30B7/08(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/10(2006.01)I |
代理机构 |
乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 |
代理人 |
张莉 |
主权项 |
一种氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法,其特征在于该晶体的分子式为Ba2B5O9Cl,采用高温溶液法生长大尺寸晶体,具体操作按下列步骤进行:a、将用高温固相法制得的氯硼酸钡多晶粉末与助熔剂NaF和H3BO3混合,加热至880‑1000℃,恒温1‑100小时,再降温至840‑930℃,得到氯硼酸钡和助熔剂的混合溶液;b、将绑有铂丝的刚玉杆放入步骤a配制的混合溶液中,冷却到饱和点,再以5‑30℃/天的速率将混合溶液缓慢降温,获得小晶体作为籽晶;c、将步骤b获得的籽晶放入步骤a氯硼酸钡和助熔剂混合溶液中,同时以1‑50转/分的转速旋转籽晶杆,以1‑5℃/天的速率缓慢降温;d、待单晶生长停止后,将晶体提离液面,以1‑50℃/h的速率降至室温,然后缓慢从炉膛中取出晶体,即可得到氯硼酸钡非线性光学晶体。 |
地址 |
830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号 |