用于处理半导体加工部件的方法以及由此形成的部件

摘要

一种半导体加工部件具有包括碳化硅的一个外表面部分，该外表面部分具有一个表皮杂质水平以及一个本体杂质水平。该表皮杂质水平是进入外表面部分中的从0nm到100nm的深度的平均杂质水平，该本体杂质水平是进入外表面部分中至少3微米的深度上测量的，并且表皮杂质水平不大于本体杂质水平的80％。

主权项

一种半导体加工部件，该部件具有包括碳化硅的一个外表面部分，该外表面部分具有一个表皮杂质水平以及一个本体杂质水平，其中该表皮杂质水平是进入该外表面部分中的从0nm到100nm的深度的平均杂质水平，该本体杂质水平是在进入该外表面部分中至少3.0微米的深度上测量的，并且其中该表皮杂质水平是不大于该本体杂质水平的80％，这些表皮杂质水平是基于Fe、Cr、和Ni中的一种的浓度，所述半导体加工部件是通过包括以下步骤的方法得到的：提供具有一个外表面部分的一个半导体加工部件，该外表面部分是通过SiC的化学气相沉积形成的；去除该外表面部分的一个目标部分，该外表面部分具有一个表皮杂质水平以及一个本体杂质水平，其中该表皮杂质水平是进入该外表面部分中的从0nm到100nm的深度的平均杂质水平，该本体杂质水平是在进入该外表面部分中至少3.0微米的深度上测量的；并且对该部件进行热处理以使杂质从该外表面部分的表面上扩散，由此使该表皮杂质水平不大于该本体杂质水平的80％；所述方法进一步包括形成一个覆盖该外表面部分的吸气剂层，这样使杂质在热处理过程中被驱入该吸气剂层之中。