| 发明名称 | 光刻胶的去除方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻胶的去除方法，包括：提供基底，所述基底表面依次具有刻蚀阻挡层、低k介质层和图案化的掩膜层，其中掩膜层至少包括有机光刻胶层，所述低k介质层内具有暴露出刻蚀阻挡层的开口，所述开口暴露出的刻蚀阻挡层表面具有含氟的聚合物层；采用第一光刻胶去除工艺去除部分有机光刻胶层的同时将含氟的聚合物层中的氟释放；采用第二光刻胶去除工艺去除剩余的有机光刻胶层。本发明实施例的光刻胶去除方法去除有机光刻胶效果佳且不会损伤低k介质层。 | ||
| 申请公布号 | CN102610511A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN201210077046.4 | 申请日期 | 2012.03.21 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 王兆祥;杜若昕;杨平;刘志强 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面依次具有刻蚀阻挡层、低k介质层和图案化的掩膜层，其中掩膜层至少包括有机光刻胶层，所述低k介质层内具有暴露出刻蚀阻挡层的开口，所述开口暴露出的刻蚀阻挡层表面具有含氟的聚合物层；采用第一光刻胶去除工艺去除部分有机光刻胶层的同时将含氟的聚合物层中的氟释放；采用第二光刻胶去除工艺去除剩余的有机光刻胶层，所述第二光刻胶去除工艺的射频频率小于第一光刻胶的射频频率。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||