发明名称 |
乱数改变位址及资料记忆体保密电路架构与保密方法 |
摘要 |
本发明系一种乱数改变位址及资料记忆体保密电路架构与保密方法,其系包括有:一烧录器,输出一烧录的输入/出讯号;一抹除式可程式化非挥发性记忆体,用以储存微控制器之驱动程式;一资料写入读取控制电路,接收烧录器之烧录的输入/出讯号,并对抹除式可程式化非挥发性记忆体执行烧录工作;一微控制器,读取抹除式可程式化非挥发性记忆体储存之驱动程式,用以执行电子产品之运算控制动作;一记忆体资料保密电路,设置于资料写入读取控制电路与抹除式可程式化非挥发性记忆体之间,采用乱数选择位址路径及乱数选择资料路径,同时产生保护位址讯号及保护资料讯号。 |
申请公布号 |
TWI368871 |
申请公布日期 |
2012.07.21 |
申请号 |
TW097111874 |
申请日期 |
2008.04.01 |
申请人 |
盛群半导体股份有限公司 新竹市科学工业园区研新二路3号 |
发明人 |
许文琪;周汉宾 |
分类号 |
G06F9/24;G06F12/02 |
主分类号 |
G06F9/24 |
代理机构 |
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代理人 |
刘纪盛 台北市信义区松德路171号2楼;谢金原 台北市信义区松德路171号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市科学工业园区研新二路3号 |