| 摘要 |
<p>Es ist ein Halbleiterbauelement bereitgestellt. Das Halbleiterbauelement enthält einen Halbleiterkörper (40) mit einem Basisbereich (1) und einer ersten Elektrode (10), die auf einer horizontalen Hauptfläche (15) des Halbleiterkörpers (40) angeordnet ist. Der Halbleiterkörper (40) enthält ferner eine IGBT-Zelle (110) mit einem Body-Bereich (2), der einen ersten pn-Übergang (9) mit dem Basisbereich (1) ausbildet, und eine Dioden-Zelle (120) mit einem Anodenbereich (2a), der einen zweiten pn-Übergang (9a) mit dem Basisbereich (1) ausbildet. Ein Source-Bereich (3) in ohmschem Kontakt mit der ersten Elektrode (10) und ein Anti-Latch-Up-Bereich (4) in ohmschem Kontakt mit der ersten Elektrode (10) sind, in einem vertikalen Querschnitt, nur in der IGBT-Zelle (110) ausgebildet. Der Anti-Latch-Up-Bereich (4) weist eine höhere Dotierungshöchstkonzentration als der Body-Bereich (2) auf. Ferner ist ein Reverse Conducting IGBT bereitgestellt.</p> |
