| 发明名称 | 一种具有高击穿场强的反铁电厚膜及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有高击穿场强的反铁电厚膜及制备方法。本发明化学通式为：(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3，其中：0≤a≤0.06，0≤x≤0.45，0≤y≤0.10，成膜助剂为聚乙烯吡咯烷酮PVP，按摩尔比(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3∶聚乙烯吡咯烷酮PVP＝1∶(0.5～2)。本发明制得的锆酸铅基反铁电厚膜既具有较高的击穿电场又具有较高的饱和极化强度，能够在高储能密度电容器中应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102584221A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210011840.9 | 申请日期 | 2012.01.05 |
| 申请人 | 内蒙古科技大学 | 发明人 | 郝喜红;王莹;杨吉春 |
| 分类号 | C04B35/48(2006.01)I;C04B35/491(2006.01)I;C04B35/493(2006.01)I;C04B35/624(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 包头市专利事务所 15101 | 代理人 | 庄英菊 |
| 主权项 | 一种具有高击穿场强特性的锆酸铅基反铁电厚膜，其特征在于，化学组分：(Pb1‑aLa2a/3)(Zr1‑x‑ySnxTiy)O3，其中：0≤a≤0.06，0≤x≤0.45，0≤y≤0.10，成膜助剂为聚乙烯吡咯烷酮PVP，按摩尔比，(Pb1‑aLa2a/3)(Zr1‑x‑ySnxTiy)O3∶聚乙烯吡咯烷酮PVP＝1∶0.5～2。 | ||
| 地址 | 014010 内蒙古自治区包头市昆区阿尔丁大街80号 | ||