| 发明名称 | 纳米晶沉积密度的工艺控制监测方法、模块及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种纳米晶沉积密度的工艺控制监测方法、模块及其制作方法，所述工艺控制监测模块包括形成在半导体衬底上的第一模块和第二模块：所述第一模块从下至上依次包括：底层氧化层、纳米晶层、顶层氧化层和多晶硅层；所述第二模块从下至上依次包括：顶层氧化层和多晶硅层。测试所述工艺控制监测模块的第一模块和第二模块的电容可得到淀积的纳米晶的密度，从而可监控纳米晶淀积工艺过程中的工艺稳定性，及时反馈纳米晶颗粒淀积工艺异常情况。 | ||
| 申请公布号 | CN102593103A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210051705.7 | 申请日期 | 2012.03.01 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张博 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种纳米晶沉积密度的工艺控制监测模块，其特征在于，所述工艺控制监测模块包括形成于半导体衬底上的第一模块和第二模块：所述第一模块从下至上依次包括：底层氧化层、纳米晶层、顶层氧化层和多晶硅层；所述第二模块从下至上依次包括：顶层氧化层和多晶硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||