分栅闪存单元及其制造方法

摘要

一种分栅闪存单元制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括至少两个第一区域和位于两个第一区域之间的第二区域，所述第一区域衬底表面依次形成有隧穿层隧穿层、氮化硅层、阻挡层、控制栅；在第二区域衬底形成沟槽；在所述沟槽表面形成隔离介质层，并形成填充满所述沟槽且厚度大于所述沟槽深度的字线；隧穿层阻挡层在第一区域衬底内形成有源、漏区。相应地，本发明还提供利用上述方法形成的分栅闪存单元。利用本发明所提供的分栅闪存单元及其制造方法采用局域化分离电荷存储数据，有利于实现器件的小型化，此外，利用本发明所提供的分栅闪存单元及其制造方法可以降低编程电压，降低功耗，并且可以克服短沟道效应。

主权项

一种分栅闪存单元制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括至少两个第一区域和位于两个第一区域之间的第二区域，所述第一区域衬底表面依次形成有隧穿层、氮化硅层、阻挡层、控制栅；在第二区域衬底形成沟槽；在所述沟槽表面形成隔离介质层，并形成填充满所述沟槽且厚度大于所述沟槽深度的字线；在控制栅与字线相对的两侧形成源、漏区。