具有腔室处理与处理层等离子体放电以释放晶片的等离子体浸没离子注入工艺

摘要

在等离子体浸没离子注入工艺中，在不会因为增加处理层的厚度而损失晶片夹钳静电力的情况下，增加注入前腔室处理层的厚度，以允许在不用更换处理层的情况下进行一连串晶片的注入。可通过先以等离子体放电来除掉厚处理层的残留静电荷来实现上述动作。通过在每个晶片处理完之后，部分地补充所述处理层，并且接着可在处理下一个晶片之前进行所述补充处理层的简短等离子体放电，以进一步提高使用同一个处理层所能处理的晶片数量。

主权项

1.一种在等离子体反应器中等离子体浸没离子注入连续多个半导体工件的方法，所述方法包含：以具有初始厚度的含硅处理层来涂布包含工件支撑表面的所述反应器的内部空间表面；在腔室中维持惰性种类等离子体达足够时间，以从所述处理层去除残留的静电荷；对于所述连续多个工件中的每个工件，引入当前工件至所述腔室中，并且在所述腔室中维持离子注入等离子体达足够时间，以在所述工件中实现所需的离子注入剂量，从所述反应器去除所述当前工件，以及将所述连续多个工件中的下一个工件引入所述腔室中；在去除当前工件之后以及在引入所述下一个工件之前，执行下列步骤：(i)通过在所述处理层上沉积含硅处理材料的相应量，来补偿在所述腔室中处理所述当前工件期间所发生的所述处理层材料的部分损耗；其中在没有补充的情况下，所述初始厚度不足以使所述处理层在所述连续多个工件的离子注入期间保留大于的阈值的厚度。