一种硅基X射线相位光栅制作方法及其制作装置

摘要

本发明提供了一种硅基X射线相位光栅制作方法和制作装置，光栅材料采用双面抛光的N型(100)硅片，通过制作刻蚀掩模版，定向刻蚀“V”字形沟道、在硅片背部制作透光导电层和进行光助电化学刻蚀，最后形成满足要求的X射线相位光栅。本发明还提供了一种专供硅片进行光助电化学刻蚀的装置。本发明提供的X射线光栅制作方法和装置中，通过调整电化学刻蚀静态工作点，即电流电压值，将工作点固定在电流电压曲线上的刻蚀区，再通过调整光源的电流改变光源的辐射亮度，达到控制空穴、实现定向刻蚀的目的。方法可靠、易于实现，装置简单、稳定性好。

主权项

一种硅基X射线相位光栅制作方法，光栅材料采用双面抛光的N型单晶硅片，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、采用硅半导体工艺在所述的硅片的刻蚀面上制作横截面为“V”形的沟道阵列；步骤2、在所述的硅片的刻蚀面的背面制作透光导电层；所述的透光导电层是通过电子束沉积或者溅射方法形成的氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜；步骤3、利用光助电化学刻蚀方法，将所述的“V”形的沟道阵列刻蚀成硅基X射线相位光栅。