| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体集成电路装置，即使是增加写入次数也可以获得高可靠性。其构成为，在由第1电极(155)和第2电极(154)夹着信息存储部的存储单元中进行电流从第1电极(155)流向第2电极(154)的动作，并进行反方向的电流从第2电极(154)流向第1电极(155)的动作。由于第1脉冲(171)而产生组成偏离，但通过施加第2脉冲(172)可以消除组成的偏离，使组成恢复到原来的状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1819059B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200610006409.X | 申请日期 | 2006.01.20 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 黒土健三;伊藤清男;高浦则克;长田健一 |
| 分类号 | G11C11/4197(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4197(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，具有由设置在多条字线和隔着绝缘层与上述字线交叉的多条位线的交点上的信息存储部和选择元件组成的多个存储单元，其特征在于：利用流过上述位线的第1脉冲电流和在上述第1脉冲电流的反方向上流过的第2脉冲电流写入信息。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||