| 发明名称 | CMOS图像传感器 | ||
| 摘要 | 一种CMOS图像传感器，包括：衬底；位于所述衬底的感光二极管、传输晶体管和复位晶体管；浮置扩散区，位于所述衬底中、所述传输晶体管和所述复位晶体管之间，所述浮置扩散区具有结电容；与所述浮置扩散区的结电容并联的MOS电容，所述MOS电容包括：位于所述衬底上的栅极、位于所述栅极和所述衬底之间的介质层、位于所述衬底中的掺杂区。本技术可使图像传感器具有更大的动态范围。 | ||
| 申请公布号 | CN102593139A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210049341.9 | 申请日期 | 2012.02.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 饶金华;张克云;吴小利 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底的感光二极管、传输晶体管和复位晶体管；浮置扩散区，位于所述衬底中、所述传输晶体管和所述复位晶体管之间，所述浮置扩散区具有结电容；与所述浮置扩散区的结电容并联的MOS电容，所述MOS电容包括：位于所述衬底上的栅极、位于所述栅极和所述衬底之间的介质层、位于所述衬底中的掺杂区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||