发明名称 |
构件和制造构件的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种构件(2)尤其是微机械、微电子机械或微光电机械构件(2)以及制造这种构件的方法,其中构件(2)具有以层状结构嵌入的活动结构(27)。为了能够更好地接触活动结构(27)的电极(5),通过将具有不同的第一蚀刻深度(D1)和第二蚀刻深度(D2)的第一凹部(14)和第二凹部(15)蚀刻到第一层组件(10)的覆盖层(13)中,来形成条状导体桥(34),其中第一层组件(10)还包括基底(11)和绝缘层(12)。较深的凹部(14)用于隔离条状导体桥(34),而较浅的凹部(15)提供活动结构(27)用的移动空间,其中由条状导体桥(34)来桥接所述移动空间。 |
申请公布号 |
CN101687629B |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN200880022824.1 |
申请日期 |
2008.03.28 |
申请人 |
诺思罗普·格鲁曼·利特夫有限责任公司 |
发明人 |
沃尔弗拉姆·盖格;尤维·布伦格 |
分类号 |
B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;陈立航 |
主权项 |
一种制造构件(2)的方法,所述构件(2)包括微机械、微电子机械或微光电机械构件,所述方法包括以下步骤:形成第一层组件(10),所述第一层组件(10)具有第一基底(11)、位于所述第一基底(11)上的第一绝缘层(12)以及位于所述第一绝缘层(12)上的至少部分导电的覆盖层(13);在所述覆盖层(13)中形成第一凹部(14)和第二凹部(15),其中所述第一凹部(14)具有第一蚀刻深度,所述第二凹部(15)具有比所述第一蚀刻深度浅的第二蚀刻深度,并且所述第一蚀刻深度至少等于所述覆盖层(13)的厚度;将至少部分导电的结构层(26)施加至所述覆盖层(13),以使所述结构层(26)至少部分地邻接所述覆盖层(13);通过对所述结构层(26)进行图案化来形成所述构件(2)的活动结构(27);以及在所述覆盖层(13)中形成互连桥(34),其中所述互连桥(34)将所述活动结构(27)内的电极(5)连接至所述活动结构(27)外的所述结构层(26)。 |
地址 |
德国弗赖堡 |