| 发明名称 | 具有二次放电衰减的X射线管 | ||
| 摘要 | 本发明名称为“具有二次放电衰减的X射线管”。本发明的实施例涉及X射线管(例如，CT成像中使用的X射线管)内的偏离焦点的X射线辐射衰减。在一个实施例中，提供一种用于偏离焦点的X射线辐射衰减的X射线管。该X射线管包括阴极、靶和磁焦斑控制单元，该磁焦斑控制单元具有装入在以X射线衰减材料填充的树脂中的至少一个电磁体。 | ||
| 申请公布号 | CN102592928A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210011896.4 | 申请日期 | 2012.01.06 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | E·J·韦斯特科特;T·D·谢菲尔;K·科皮塞蒂 |
| 分类号 | H01J35/14(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01J35/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 柯广华;卢江 |
| 主权项 | 一种X射线管，包括：阴极，其配置成输出电子束；靶，其配置成接收所述电子束并生成X射线；磁焦斑控制单元，其设在所述阴极与所述靶之间并配置成生成电磁场以影响所述电子束，所述磁焦斑控制单元包括装入在以X射线衰减材料填充的树脂中的至少一个电磁体。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||