一种多晶硅绒面的制备方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅绒面的制备方法，其包括步骤：1、将多晶硅原料片使用有双沉积腔室的PECVD设备进行单面镀5nm-10nm厚的二氧化硅SiO2层和15-25nm厚的氮化硅层双层保护膜；2、用瑞纳制绒设备对镀双层膜的多晶硅片的一面酸洗单面制绒；混合酸液是体积比为2∶1∶1.6的65％的硝酸HNO3、40％的氢氟酸HF和去离子水的混合液，温度保持在5-7℃，制绒2-3分钟；3、在浓度为10％-20％的氢氟酸HF水溶液中酸洗10-15min，待多余的二氧化硅SiO2薄膜和氮化硅Si3N4薄膜完全脱落后，进行水洗，烘干。使用本发明制备的多晶硅绒面虫孔状结构更加精细，绒面尺寸大，制绒后可以明显看出制绒效果，提高了电池片的陷光效果，提高了短路电流Isc，进而提高了电池片的光电转化效率。

主权项

一种多晶硅绒面的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：[1]、将多晶硅原料片使用有双沉积腔室的PECVD设备进行单面镀双层保护膜；(1)在PECVD设备的第一沉积腔室内充气体流量比为1.2‑1.6∶1的一氧化二氮N2O和硅烷气体SiH4，沉积温度为350‑450℃，在原料片上沉积一层多孔状的二氧化硅SiO2层，二氧化硅层的沉积厚度为5nm‑10nm；(2)在PECVD设备的第二沉积腔室内充气体流量比为3‑5∶1的氨气NH3和硅烷气体SiH4，沉积温度为500‑600℃，在沉积有二氧化硅层的多晶硅片的一面上再沉积一层多孔状的氮化硅Si3N4层，氮化硅层的沉积厚度为15‑25nm；[2]、用瑞纳制绒设备对镀双层膜的多晶硅片的一面酸洗单面制绒；将多晶硅片镀双层膜的一面放置在瑞纳制绒设备内的混合酸液内进行单面制绒，混合酸液是体积比为2∶1∶1.6的浓度为65％的硝酸HNO3、浓度为40％的氢氟酸HF和去离子水的混合液，温度保持在5‑7℃，制绒2‑3分钟；[3]、去除多晶硅片上的剩余的二氧化硅和氮化硅保护膜，将制绒后的多晶硅片浸泡在浓度为10％‑20％的氢氟酸HF水溶液中酸洗10‑15min，待多余的二氧化硅SiO2薄膜和氮化硅Si3N4薄膜完全脱落后，进行水洗，烘干。