| 发明名称 | 在ALD或CVD工艺中用于GST薄膜的碲前体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制造锗-锑-碲合金薄膜的方法，其中甲硅烷基碲前体被用作为合金薄膜中碲的来源，并使其在沉积过程中与醇反应。 | ||
| 申请公布号 | CN101476112B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200810189883.X | 申请日期 | 2008.11.27 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 萧满超;杨柳;T·R·加夫尼 |
| 分类号 | C23C16/06(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张轶东;韦欣华 |
| 主权项 | 一种在半导体底物上形成碲薄膜的方法，包括a.将碲前体提供到所述的半导体底物上，所述碲前体选自(R1R2R3Si)2Te；(R1R2R3Si)TeR4；和(R1R2R3Si)TeN(R4R5)，其中R1、R2、R3、R4和R5各自为氢、具有1‑10个碳原子的直链、支链或环状烷基或芳香基团；b.将醇提供到所述的半导体底物上以与所述碲前体反应而形成碲层；和c.保持沉积温度从80℃到500℃。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||