硅通孔结构及其形成工艺

摘要

本发明公开了一种硅通孔(TSV)结构及其形成工艺。半导体衬底具有前表面和后表面，并且TSV结构被形成为延伸穿过半导体衬底。TSV结构包括金属层、围绕金属层的金属晶种层、围绕金属晶种层的阻挡层以及形成在金属层和金属晶种层之间夹置的部分中的金属硅化物层。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有前表面和后表面，并包括形成在所述前表面上的集成电路IC组件；层间电介质ILD层，被形成为上覆所述半导体衬底的所述前表面；接触插塞，形成在所述ILD层中，并且电连接至所述IC组件；以及通孔结构，形成在所述ILD层中，并且延伸穿过所述半导体衬底，其中，所述通孔结构包括金属层、围绕所述金属层的金属晶种层、围绕所述金属晶种层的阻挡层以及夹置在所述金属层的至少一部分和所述金属晶种层的至少一部分之间的金属硅化物层。