一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法

摘要

本发明涉及ZnO纳米线阵列，特指一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法，即利用等离子体对ZnO纳米线阵列进行B掺杂。利用B2H6等离子体对ZnO纳米线进行B掺杂，工作气体为B2H6，射频功率在30-60W，压强70-100Pa，加热温度为300℃，时间为5-20min。由于ZnO纳米线有大的表面积体积比，小的直径尺寸，纳米线浸没在等离子体中，从而可实现B原子均匀掺杂；另一方面，利用等离子体技术掺杂，可实现ZnO纳米线的低温掺杂。

主权项

一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法，包括利用水热法生长ZnO纳米线阵列的步骤，对ZnO纳米线阵列进行B掺杂的步骤，制备金属电极的步骤，测定ZnO纳米线伏安特性的步骤，其特征在于：对ZnO纳米线阵列进行B掺杂的步骤指利用B2H6等离子体对ZnO纳米线进行B掺杂，工作气体为B2H6，射频功率在30‑60W，压强70‑100Pa，加热温度为300℃，时间为5‑20min。