发明名称 通过优化伪金属分布增大介电强度
摘要 一种通过优化伪金属分布增大介电强度的方案,该方案包括以下方法:提供晶圆表示件,包括金属层和在该金属层的上方的多个凸块焊盘,其中,该金属层包括:凸块焊盘正下方区域。将固体金属图案插入金属层,其中,固体金属图案包括:位于凸块焊盘正下方区域中的第一部件和位于凸块焊盘正下方区域以外的第二部件。去除固体金属图案的第二部件的部分,其中,基本上没有去除固体金属图案的第一部件的部分。在去除形成的伪金属图案的步骤期间没有去除固体金属图案的剩余部分。在半导体晶圆中实施伪金属图案和多个凸块焊盘。
申请公布号 CN102593043A 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN201110201477.2 申请日期 2011.07.15
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈宪伟;刘醇鸿
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京德恒律师事务所 11306 代理人 陆鑫;高雪琴
主权项 一种方法,包括:提供晶圆表示件,包括:金属层和位于所述金属层的上方的多个凸块焊盘,其中,所述金属层包括凸块焊盘正下方区域;将固体金属图案插入所述金属层中,其中,所述固体金属图案包括位于所述凸块焊盘正下方区域中的第一部件和位于所述凸块焊盘正下方区域以外的第二部件;以及去除所述固体金属图案的所述第二部件的部分,其中,基本上没有去除所述固体金属图案的所述第一部件的部分,在去除形成的伪金属图案的步骤期间没有去除所述固体金属图案的剩余部分,并且其中,使用计算机执行插入和去除的步骤。
地址 中国台湾新竹
您可能感兴趣的专利