半导体晶片的接合方法和半导体装置的制造方法

摘要

本发明的半导体晶片的接合方法中，使在半导体晶片(210)与半导体晶片(220)之间具有接合层(60)，得到层叠半导体晶片(210)和半导体晶片(220)的半导体晶片层叠体(230)，该接合层(60)含有具有焊剂活性的固化剂和热固化性树脂；然后，通过一边对半导体晶片层叠体(230)进行加热一边在其厚度方向上加压，使焊锡凸块(224)熔融、固化，并且使上述热固化性树脂固化，从而使半导体晶片(210)和半导体晶片(220)固着，由此，得到连接部(212)和连接部(222)通过连接部(焊锡凸块的固化物)(225)电连接的半导体晶片接合体(240)。

主权项

一种半导体晶片的接合方法，其是层叠第1半导体晶片和第2半导体晶片使其电连接的半导体晶片的接合方法，其特征在于，具有：第1工序，该工序准备上述第1半导体晶片和上述第2半导体晶片，上述第1半导体晶片具有在该第1半导体晶片的厚度方向上贯通设置的多个连接部，上述第2半导体晶片具有在该第2半导体晶片的厚度方向上贯通设置的多个连接部和在上述第2半导体晶片的背面侧上与上述连接部的端部连接的焊锡凸块；第2工序，该工序使在上述第1半导体晶片和上述第2半导体晶片之间具有接合层，该接合层作为构成材料含有具有焊剂活性的固化剂和热固化性树脂，并且对上述第1半导体晶片和上述第2半导体晶片进行定位，以使上述第1半导体晶片的功能面侧的连接部的端部和上述第2半导体晶片的背面侧的焊锡凸块相对应，得到上述第1半导体晶片与上述第2半导体晶片层叠的半导体晶片层叠体；以及第3工序，该工序通过一边对上述半导体晶片层叠体进行加热一边在其厚度方向上加压，通过上述具有焊剂活性的固化剂的作用还原上述焊锡凸块的表面，使上述焊锡凸块熔融、固化，并且使上述热固化性树脂固化，从而使上述第1半导体晶片与上述第2半导体晶片固着，由此，得到上述第1半导体晶片的连接部与上述第2半导体晶片的连接部通过上述焊锡凸块的固化物电连接的半导体晶片接合体。