一种自组装制备内嵌金属钨量子点氮化硅介质膜浮栅层的方法

摘要

本发明公开了一种自组装制备内嵌金属钨量子点氮化硅介质膜浮栅层的方法。本发明采用磁控溅射的方法在室温下制备内嵌高密度金属钨量子点的氮化硅绝缘介质膜，作为非挥发性存储器的浮栅结构。溅射靶材由氮化硅靶材其上摆放金属钨的小块构成，然后通过共溅射，室温下即可获得纳米尺寸的、均匀分布于氮化硅介质膜中的金属钨量子点。通过调节金属小块的个数，即金属小块相对于氮化硅靶材的覆盖率，来调节金属钨量子点的大小和密度。该方法制备的高密度金属钨量子点在800度的高温仍表现出良好的热稳定性，易于与CMOS工艺兼容。由本发明方法制备的内嵌高密度钨量子点的氮化硅薄膜作为非挥发存储器的浮栅层，表现出良好的电荷存储特性。

主权项

一种自组装制备内嵌金属钨量子点氮化硅介质膜浮栅层的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）选取氮化硅绝缘靶材，并在绝缘靶材上摆放金属钨块；所述金属钨块对绝缘靶材的覆盖率为10%~30%；（2）对上述靶材进行溅射成膜，溅射气氛为氩气，衬底为热氧化二氧化硅的p型硅片。