半导体器件和逆导IGBT

摘要

提供一种半导体器件和逆导IGBT。该半导体器件包括具有基极区域（1）的半导体本体（40）以及布置在半导体本体（40）的主水平表面（15）上的第一电极（10）。该半导体本体（40）还包括具有与基极区域（1）形成第一pn结（9）的本体区域（2）的IGBT单元（110）以及具有与基极区域（1）形成第二pn结（9a）的阳极区域（2a）的二极管单元（120）。在垂直剖面中仅在IGBT单元（110）中形成与第一电极（10）欧姆接触的源极区域（3）以及与第一电极（10）欧姆接触的抗闩锁区域（4）。该抗闩锁区域（4）具有比本体区域（2）的最大掺杂浓度高的最大掺杂浓度。

主权项

一种半导体器件，包括：包括第一导电类型的基极区域（1）和主水平表面（15）的半导体本体（40）；布置在主水平表面（15）上的第一电极（10）；在垂直剖面中，该半导体本体（40）还包括：     包括与基极区域（1）形成第一pn结（9）的第二导电类型的本体区域（2）的IGBT单元（110）；以及     包括与基极区域（1）形成第二pn结（9a）的第二导电类型的阳极区域（2a）的二极管单元(120)；并且     在垂直剖面中仅在IGBT单元（110）中形成的与第一电极（10）欧姆接触的第一导电类型的源极区域（3）以及与第一电极（10）欧姆接触的第二导电类型的抗闩锁区域（4），该抗闩锁区域（4）具有比本体区域（2）的最大掺杂浓度高的最大掺杂浓度。