| 发明名称 | 具有接触结构的发光二极管芯片 | ||
| 摘要 | 在具有辐射出射面(1)和接触结构(2，3，4)的发光二极管芯片中，该接触结构被布置在辐射出射面(1)上并且包括接合垫(4)和多个被设置用于电流扩展的接触条(2，3)，这些接触条与接合垫(4)导电连接，接合垫(4)被布置在辐射出射面(1)的边缘区域中。该发光二极管芯片的特色尤其在于在接触结构(2，3，4)中对所发射的辐射(2 3)的减少的吸收。 | ||
| 申请公布号 | CN101238591B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200680028603.6 | 申请日期 | 2006.06.02 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | V·哈尔;B·哈恩;J·鲍尔;R·奥博施米德;A·韦马;E·K·M·古恩瑟;F·埃伯哈德;M·里克特;J·斯特劳斯 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 卢江;刘春元 |
| 主权项 | 一种发光二极管芯片，具有辐射出射面(1)和接触结构(2，3，4)，该接触结构被布置在所述辐射出射面(1)上并且包括接合垫(4)和多个被设置用于电流扩展的接触条(2，3)，这些接触条与所述接合垫(4)导电连接，其特征在于，所述接合垫(4)被布置在所述辐射出射面(1)的边缘区域中，并且所述接触条中的至少一个(3)具有可变的宽度。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||