发明名称 | 一种负磁导率超材料 | ||
摘要 | 本发明涉及一种负磁导率超材料,所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的人造微结构,所述人造微结构为一条折线,所述折线为自一点向外等间距螺旋而成。在实现负磁导率的前提下,将超材料的谐振频率降到50MHz以下,因此可以在较低频段实现超材料的磁导率为负,同时,本发明超材料呈各向异性,对于超材料产业的发展具有重要意义,具有良好的发展前景。 | ||
申请公布号 | CN102593602A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
申请号 | CN201210051072.X | 申请日期 | 2012.02.29 |
申请人 | 深圳光启创新技术有限公司 | 发明人 | 刘若鹏;赵治亚;郭洁;刘豫青 |
分类号 | H01Q15/00(2006.01)I | 主分类号 | H01Q15/00(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种负磁导率超材料,所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的人造微结构,其特征在于,所述人造微结构为一条折线,所述折线为自一点向外等间距螺旋而成。 | ||
地址 | 518034 广东省深圳市福田区香梅路1061号中投国际商务中心A栋18B |